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Parada de campo 1200 V da trincheira do semicondutor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 80 A 555 W
| Lugar de origem | Japão |
|---|---|
| Marca | ROHM |
| Certificação | RoHS |
| Número do modelo | RGS80TSX2DHRC11 |
| Quantidade de ordem mínima | 30 PCS |
| Preço | Negotiable |
| Detalhes da embalagem | 30 PCS/Tube |
| Tempo de entrega | 2-3 dias |
| Termos de pagamento | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Habilidade da fonte | 6K PCS |
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xDetalhes do produto
| Categoria | Único IGBTs | Mfr | Semicondutor de Rohm |
|---|---|---|---|
| Pacote | Tubo | Tipo IGBT | Parada de campo de trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200 V | Atual - coletor (CI) (máximo) | 80A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 120A | Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 40A |
| Poder - máximo | 555 W | Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 104 nC | Condição de teste | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 198 ns | Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 175°C |
| Montando o tipo | Através do furo | Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247N |
| Realçar | RGS80TSX2DHRC11,Parada de campo da trincheira de IGBT,rohm de to-247n |
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Descrição de produto
Parada de campo 1200 V da trincheira de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 80 A 555 W através do furo TO-247N
Características:
●Baixo coletor - tensão de saturação do emissor
●Procurar um caminho mais curto para suportar o tempo 10μs
●Qualificado a AEC-Q101
●Construído na recuperação rápida & macia mesma FRD
●Pb - chapeamento livre da ligação; RoHS complacente
Descrição:
Trincheira IGBTs automotivo da parada de campo de RGS
A trincheira IGBTs automotivo da parada de campo do semicondutor RGS de ROHM é AEC-Q101 IGBTs automotivo avaliado isso
são em 1200 as variações V e 650V disponíveis. Este IGBTs entrega a baixa perda classe-principal da condução que contribui
a reduzir o tamanho e a melhorar a eficiência das aplicações. Os RGS IGBTs utilizam a trincheira-porta original e
tecnologias da fino-bolacha. Estas tecnologias ajudam a conseguir a baixa tensão de saturação do coletor-emissor (VCE (se sentou)) com
perdas de comutação reduzidas. Este IGBTs fornece economias de energia aumentadas em uma variedade de corrente de alta tensão e alta
aplicações.
Detalhe rápido:
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Fabricante
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Semicondutor de Rohm
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Fabricante Product Number
|
RGS80TSX2DHRC11
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Descrição
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TRINCHEIRA FLD 1200V 80A TO247N de IGBT
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Descrição detalhada
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Parada de campo 1200 V da trincheira de IGBT 80 A 555 W através do furo TO-247N
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Atributos de produto:
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TIPO
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DESCRIÇÃO
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Categoria
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Único IGBTs
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Mfr
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Semicondutor de Rohm
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Estado do produto
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Ativo
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Tipo de IGBT
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Parada de campo da trincheira
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Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)
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1200 V
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Atual - coletor (CI) (máximo)
|
80 A
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Atual - coletor pulsado (Icm)
|
120 A
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Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI
|
2.1V @ 15V, 40A
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Poder - máximo
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555 W
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Energia de comutação
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3mJ (sobre), 3.1mJ (fora)
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Tipo entrado
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Padrão
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Carga da porta
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104 nC
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TD (de ligar/desligar) @ 25°C
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49ns/199ns
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Condição de teste
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600V, 40A, 10Ohm, 15V
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Tempo de recuperação reversa (trr)
|
198 ns
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Temperatura de funcionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montando o tipo
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Através do furo
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Pacote/caso
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TO-247-3
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TO-247N
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Número baixo do produto
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RGS80
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Recursos adicionais:
| ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
| Outros nomes | 846-RGS80TSX2DHRC11 |
| Pacote padrão | 30 |
Imagem dos dados: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf
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