• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
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China TRINCHEIRA componente 100V da eletrônica do transistor do diodo de semicondutor de IPB0401NM5S

TRINCHEIRA componente 100V da eletrônica do transistor do diodo de semicondutor de IPB0401NM5S

Número do produto: IPB0401NM5S
Fabricante: Infineon Technologies
Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
China Produtos de semicondutor discretos IGBT de FGD3N60UNDF NPT 600V 6 60W uma montagem de superfície TO-252AA

Produtos de semicondutor discretos IGBT de FGD3N60UNDF NPT 600V 6 60W uma montagem de superfície TO-252AA

Fabricante: onsemi
Categoria: Único IGBTs
Número do produto: FGD3N60UNDF
China Montagem de superfície SuperSOT™-6 da disposição CI 25V 680mA 460mA 700mW do Mosfet do poder de FDC6321C

Montagem de superfície SuperSOT™-6 da disposição CI 25V 680mA 460mA 700mW do Mosfet do poder de FDC6321C

Fabricante: onsemi
Categoria: O FET, MOSFET põe
Número do produto: FDC6321C
China A.A. 96W Tc DirectFET do N-canal 40V 217 do transistor do diodo do resistor de IRF7480MTRPBF isométrico MIM

A.A. 96W Tc DirectFET do N-canal 40V 217 do transistor do diodo do resistor de IRF7480MTRPBF isométrico MIM

Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Série: HEXFET®, StrongIRFET™
China Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H

Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H

Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
Mfr: onsemi
Tipo do FET: P-canal
China Transistor do diodo de IPP65R110CFDA e N-canal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 do tiristor

Transistor do diodo de IPP65R110CFDA e N-canal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 do tiristor

Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Série: Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™
China Furo PG-TO247-4-1 do diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough do Mosfet do canal de IMZ120R090M1H INFINEON N

Furo PG-TO247-4-1 do diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough do Mosfet do canal de IMZ120R090M1H INFINEON N

Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Série: CoolSiC
China Nível N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 da lógica do Mosfet do canal do poder superior N de IPP65R110CFDA

Nível N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 da lógica do Mosfet do canal do poder superior N de IPP65R110CFDA

Categoria: Únicos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Série: Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™
China Montagem de superfície 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W da disposição do Mosfet do canal de FDS3992 N

Montagem de superfície 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W da disposição do Mosfet do canal de FDS3992 N

Fabricante: onsemi
Categoria: O FET, MOSFET põe
Número do produto: FDS3992
China Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W do diodo de BUF420AW BJT NPN através do furo TO-247-3

Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W do diodo de BUF420AW BJT NPN através do furo TO-247-3

Categoria: Transistor bipolares - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Tipo do transistor: NPN
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