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TRINCHEIRA componente 100V da eletrônica do transistor do diodo de semicondutor de IPB0401NM5S
Número do produto: | IPB0401NM5S |
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Fabricante: | Infineon Technologies |
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
Produtos de semicondutor discretos IGBT de FGD3N60UNDF NPT 600V 6 60W uma montagem de superfície TO-252AA
Fabricante: | onsemi |
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Categoria: | Único IGBTs |
Número do produto: | FGD3N60UNDF |
Montagem de superfície SuperSOT™-6 da disposição CI 25V 680mA 460mA 700mW do Mosfet do poder de FDC6321C
Fabricante: | onsemi |
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Categoria: | O FET, MOSFET põe |
Número do produto: | FDC6321C |
A.A. 96W Tc DirectFET do N-canal 40V 217 do transistor do diodo do resistor de IRF7480MTRPBF isométrico MIM
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
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Mfr: | onsemi |
Tipo do FET: | P-canal |
Transistor do diodo de IPP65R110CFDA e N-canal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 do tiristor
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Furo PG-TO247-4-1 do diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough do Mosfet do canal de IMZ120R090M1H INFINEON N
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | CoolSiC |
Nível N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 da lógica do Mosfet do canal do poder superior N de IPP65R110CFDA
Categoria: | Únicos FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | Automotivo, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Montagem de superfície 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W da disposição do Mosfet do canal de FDS3992 N
Fabricante: | onsemi |
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Categoria: | O FET, MOSFET põe |
Número do produto: | FDS3992 |
Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W do diodo de BUF420AW BJT NPN através do furo TO-247-3
Categoria: | Transistor bipolares - BJT |
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Mfr: | STMicroelectronics |
Tipo do transistor: | NPN |