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Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H

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xCategoria | Únicos FETs, MOSFETs | Mfr | onsemi |
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Tipo do FET | P-canal | Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | Vgs (máximo) | ±20V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4000 PF @ 20 V | Dissipação de poder (máxima) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) | Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote do dispositivo do fornecedor | ATPAK | Pacote/caso | ATPAK (2 Leads+Tab) |
Realçar | Mosfets P-Channel 60 V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H,P-Channel Mosfets 60 V Ta 60W Tc ATP114-TL-H,P-Channel Mosfets 60 V Ta 60W ATP114-TL-H |
ATP114-TL-H Canal P 60 V 55A (Ta) 60 W (Tc) Montagem em Superfície ATPAK
Características:ATP114-TL-H
Categoria | FETs simples, MOSFETs |
Mfr | onsemi |
Tipo FET | Canal P |
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (Máx.) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | ATPAK |
Pacote / Estojo | ATPAK (2 Leads+Tab) |
Número do produto base | ATP114 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
Outros nomes | ATP114-TL-HOSDKR |
ATP114-TL-HOSTR | |
ATP114-TL-H-ND | |
ATP114-TL-HOSCT | |
Pacote padrão | 3000 |
Dados Imagem:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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