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Montagem de superfície discreta TO-263AB do diodo de semicondutor 650 V de SCS212AJTLL ROHM 12A

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xNúmero do produto | SCS212AJTLL | Fabricante | Semicondutor de Rohm |
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Tecnologia | Sic (carboneto de silicone) Schottky | Tensão - reverso da C.C. (Vr) (máximo) | 650 V |
Atual - média retificada (Io) | 12A | Tensão - dianteira (Vf) (máximo) @ se | 1,55 V @ 12 A |
Velocidade | Nenhuns hora de recuperação > 500mA (Io) | Tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
Atual - escapamento reverso @ Vr | µA 240 @ 600 V | Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB | Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (máximo) |
Realçar | SCS212AJTLL,Semicondutor de SCS212AJTLL ROHM,Produtos de semicondutor discretos |
Montagem de superfície TO-263AB do diodo 650 V 12A de SCS212AJTLL
Folha de dados: SCS212AJTLL
Categoria | Únicos diodos |
Mfr | Semicondutor de Rohm |
Estado do produto | Ativo |
Tecnologia | Sic (carboneto de silicone) Schottky |
Tensão - reverso da C.C. (Vr) (máximo) | 650 V |
Atual - média retificada (Io) | 12A |
Tensão - dianteira (Vf) (máximo) @ se | 1,55 V @ 12 A |
Velocidade | Nenhuns hora de recuperação > 500mA (Io) |
Tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
Atual - escapamento reverso @ Vr | µA 240 @ 600 V |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | °C 175 (máximo) |
Número baixo do produto | SCS212 |
CARACTERÍSTICAS:
Tempo de recuperação mais curto do ・
O ・ reduziu a dependência da temperatura
Interruptor de alta velocidade do ・ possível
Aplicações
・ PFC para impulsionar a topologia
Correção lateral secundária do ・
・ Data Center
Condicionadores de poder do picovolt do ・
DataPicture: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf