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Memória instantânea EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN CI 20 megahertz 8-SOIC

Lugar de origem América
Marca MICROCHIP
Certificação RoHS
Número do modelo 25LC512T-I/SN
Quantidade de ordem mínima 3300 PCS
Preço Negotiable
Detalhes da embalagem 3300 PCS/Tape
Tempo de entrega 2-3 dias
Termos de pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Habilidade da fonte 6K PCS

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Detalhes do produto
Categoria Memória Mfr Tecnologia do microchip
Pacote Fita & fita do carretel (TR) /Cut (CT) Tipo da memória Permanente
Formato da memória EEPROM Tecnologia EEPROM
Tamanho de memória 512Kbit Organização da memória 64K x 8
Relação da memória SPI Frequência de pulso de disparo 20 megahertz
Tensão - fonte 2.5V ~ 5.5V Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Realçar

eeprom instantâneo do CI

,

MEMÓRIA FLASH DE IC

,

folha de dados 25lc512t-i/sn

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Descrição de produto

Memória IC 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN EEPROM 20 megahertz 8-SOIC

Descrição:

O Microchip Tecnologia Inc. 25LC512 é 512 uma memória de série de Kbit EEPROM com byte-nível e página-nível

funções de série de EEPROM. Igualmente caracteriza a página, setor e a microplaqueta apaga as funções associadas tipicamente com Flash-baseado

produtos. Estas funções não são exigidas para o byte ou a página escreve operações. A memória é alcançada através de uma série simples

Ônibus de série compatível periférico da relação (SPI). Os sinais do ônibus exigidos são uma entrada de pulso de disparo (SCK) mais dados separados em (o SI)

e dos dados linhas para fora (ASSIM). O acesso ao dispositivo é controlado por uma entrada de Chip Select (CS).

 

Detalhe rápido:

Fabricante
Tecnologia do microchip
Fabricante Product Number
25LC512T-I/SN
Descrição
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
Descrição detalhada
Memória IC 512Kbit SPI de EEPROM 20 megahertz 8-SOIC

 

Atributos de produto:

TIPO
DESCRIÇÃO
Categoria
Memória
Mfr
Tecnologia do microchip
Estado do produto
Ativo
Digi-chave programável
Verificado
Tipo da memória
Permanente
Formato da memória
EEPROM
Tecnologia
EEPROM
Tamanho de memória
512Kbit
Organização da memória
64K x 8
Relação da memória
SPI
Frequência de pulso de disparo
20 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
5ms
Tensão - fonte
2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC
Número baixo do produto
25LC512

 

Recursos adicionais:

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Outros nomes
25LC512TISN
25LC512T-I/SNDKR
25LC512T-I/SNTR
25LC512T-I/SNCT
Pacote padrão 3300

Características

• 20 megahertz de velocidade de relógio máxima

• O byte e o Página-nível escrevem operações:

- página 128-byte

- máximo de 5 Senhoras.

- Nenhum página ou setor apagam exigido

• Tecnologia do CMOS da baixa potência:

- Máximo Escrita Atual: 5 miliampères em 5.5V, 20 megahertz

- Atual lido: 10 miliampères em 5.5V, 20 megahertz

- Corrente à espera: 1  A em 2.5V (powerdown profundo)

• Assinatura eletrônica para a identificação do dispositivo

• Auto-programado apague e escreva ciclos:

- A página apaga (Senhora 5, típicas)

- O setor apaga (10 ms/setor, típicos)

- O volume apaga (Senhora 10, típicas)

• O setor escreve a proteção (byte 16K/setor):

- Não proteja nenhumas, 1/4, 1/2 ou toda a disposição

• O acessório escreve a proteção:

- Poder-em/fora dos circuitos da proteção de dados

- Write para permitir a trava

- Escrever-proteja o pino

• Confiança alta:

- Resistência: 1 milhão apagam/para escrever ciclos

- Retenção dos dados: anos >200

- Proteção do ESD: >4000V

• Variações da temperatura apoiadas:

- (i) industrial: -40°C a +85°C

- (e) prolongado: -40°C a +125°C

• RoHS complacente

• AEC-Q100 automotivo qualificou

Imagem dos dados:

Memória instantânea EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN CI 20 megahertz 8-SOIC 0