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2.7V Voltage Flash Memory IC Chip KIOXIA/TOSHIBA TC58NVG2S0HTAI0 512MB SLC
Fator de forma: | TSOP |
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Voltagem: | 2.7V ~ 3.6V |
Série: | bandeja |
Chipe IC de relevo de desempenho confiável DSP1-L2-DC5V-F
Tempo da liberação: | 10 ms |
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Força dielétrica: | 1000VAC |
Material de contacto: | liga de prata |
Relais de circuito fechado AQW212AZ PANASONIC
Resistência da bobina: | 200Ω |
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Resistência ao isolamento: | 100mΩ |
Material de contacto: | liga de prata |
Reprodução do chip IC ALQ324 PANASONIC
Tipo de montagem: | Através do Buraco |
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Material de contacto: | liga de prata |
Resistência da bobina: | 2,88 kOhms |
Relais IC confiáveis JQ1P-24V-F Relais eletromecânicos 24VDC 1.44KOhm 10(NO)/3(NC)A SPDT (20x10x16)Mm THT Relais de potência
Formulário do contato: | SPST-NO |
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Tempo da liberação: | 10 ms |
Potência da bobina: | 0.25W |
8GB eMMC iNAND AT EM122 Grade2 SDINBDG4-8G-ZAT WD/SanDisk
Dispersor de calor: | Não |
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Capacidade de memória: | 8GB |
Garantia: | Período de vida |
Módulo de memória IC Chip 8GB EMMC5.1 HS400 KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG
Fator de forma: | DIMM |
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Dispersor de calor: | Não |
Garantia: | Período de vida |
TOSHIBA KIOXIA 8GB EMMC THGBMJG6C1LBAIL
Série: | HyperX FURY |
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Fator de forma: | DIMM |
Tipo de memória: | eMMC |
TOSHIBA KIOXIA 4GB EMMC5.0 FG THGBMNG5D1LBAIT
Fator de forma: | DIMM |
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Garantia: | Período de vida |
Tipo do módulo: | unbuffered |
Chip de IC de memória EMMC com capacidade de 64 GB para vida útil prolongada SDINBDG4-64G-XI1 SANDISK
Voltagem: | 1.2V |
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Iluminação LED: | Não |
Tipo de memória: | eMMC |